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Si4100DY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
100
R DS(on) ( Ω )
0.063 at V GS = 10 V
0.084 at V GS = 6 V
I D (A) d
6.8
5.8
Q g (Typ.)
9 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % UIS Tested
APPLICATIONS
? High Frequency Boost Converter
? LED Backlight for LCD TV
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
D
G
Top V ie w
Orderin g Information: Si4100DY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4100DY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
± 20
6.8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
5.4
4.4 a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
3.5 a, b
20
5
2.1 a, b
19
18
A
mJ
T C = 25 °C
6
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
3.8
2.5 a, b
W
T A = 70 °C
1.6 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, c
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
37
17
50
21
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
c. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
d. T C = 25 °C.
Document Number: 69251
S09-0220-Rev. B, 09-Feb-09
www.vishay.com
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